中國粉體網訊 在單晶硅生產中，石英坩堝是一次性使用的用于熔硅和晶體生長的關鍵材料，對單晶硅的生產成本和產品質量都有著直接的重要影響。石英坩堝具有多層結構，內外壁氣泡含量不同，石英坩堝的原材料純度、耐溫、耐久性等是單晶品質的重要影響因素。
直拉單晶硅用石英坩堝
來源：胡澤晨等.石英砂的提純技術現狀及挑戰
氣泡對石英坩堝質量的潛在影響
石英坩堝為半透明狀，分為外層，也叫氣泡復合層（不透明層，氣泡含量較多），以及中內層，也叫氣泡空乏層（真空透明層，不含氣泡，3~5mm）兩層結構。外層需要把來自加熱器的熱量均勻散射，所以需要規定數量和大小的氣泡，從而對硅熔體均勻加熱；中內層是一層3-5mm的透明層，成為氣泡空乏層，對高純石英砂高純、低鋁、低堿、抗析晶的要求更高。石英坩堝的內壁因為與硅熔體接觸，在高溫狀態下，若內壁存在氣泡，氣泡會導致氣體和雜質從坩堝內釋放到熔體中從而擾亂到單晶硅的生長。那么石英坩堝中的氣泡是怎么來的呢？它又如何去除呢？
如何除去石英坩堝中的氣泡？
原來，在石英坩堝成型過程中，由于溫度極高，石英表面液體包裹體會吸收膨脹，使坩堝表面充滿氣泡裂紋，影響到坩堝質量。故類質同象金屬雜質及氣液包裹體通常被認為是石英坩堝用高純石英砂最主要的技術指標。因此，要想保持石英坩堝質量的穩定性，必須將石英坩堝的原料高純石英砂中的氣液包裹體控制在較低水平。
礦物包裹體是礦物成礦過程中被包裹在主礦物晶格缺陷中的成巖成礦流體（包括氣體、液體及硅酸鹽熔融體），且與主礦物存在明顯相界限。通常把液相（或氣相）填充度不小于60％的包裹體稱之為液體（或氣體）包裹體。
透明層氣泡對石英坩堝的影響示意圖
來源：胡澤晨等.石英砂的提純技術現狀及挑戰
石英氣液包裹體主要去除方法為：破碎磨礦、高溫氯化脫氣法、差異腐蝕法、熱或冷爆裂法、微波法等。
破碎、磨礦
破碎與磨礦工藝也是暴露、去除氣液包裹體的常見方法。破碎與磨礦工藝能夠一定程度上選擇性暴露次生、假次生流體包裹體，利用浮選直接分離整個石英顆粒，或利用水/酸浸出分離表面雜質。但這些工藝對高品質石英中微小原生包裹體的選擇性低。
高溫氯化脫氣法
在高溫條件下，氣液包裹體在氯氣與礦物表面作用產生化學位梯度的促使下擴散出去。將石英砂加熱到1000~1200℃并向其通入Cl2和HCl混合氣體，在高溫條件下使Cl2和雜質離子發生反應，生成的氣態鹽類從石英晶體微裂紋處排出，從而達到提純的效果。美國的尤尼明公司就是主要采用此技術生產高純石英砂，在這項技術上尤尼明公司一直處于國際領先的地位。
酸堿差異腐蝕法
酸堿差異腐蝕法是通過石英晶體與氣液包裹體在酸和堿的腐蝕下有著不同的腐蝕速率，從而使其去除氣液包裹體。張仕軒利用差異腐蝕方法發現，石英樣品粒度越細，其雜質去除效果越顯著。
冷或熱爆裂法
冷或熱爆裂法是通過加熱石英晶體，使其處于高溫的條件下，則石英晶體與其中的氣液包裹體界面將會產生極大的壓力差。這極大壓力差將會使石英晶體內的氣液包裹體炸裂，從而使石英晶體內的氣液包裹體達到去除的效果。
其中熱爆裂法是將石英礦石先經馬弗爐高溫煅燒，再遇冷水使其炸裂成小顆粒的石英砂，并將其中大部分的氣液包裹體氣化后從石英砂壁的裂紋中排出的方法。熱爆裂法的原理是當石英礦石處于高溫條件下，基體的熱膨脹系數比包裹在內部的氣液包裹體的小，在二者界面間產生極大的壓力差使得氣液包裹體從砂粒壁裂紋處爆裂而出，再經清洗工藝去除氣液包裹體。
微波法
微波能夠選擇性地對石英的氣液包裹體進行加熱消解，達到去除氣液包裹體的目的。微波是一種交變電磁波，具有獨特的選擇性加熱、可以使高介電常數物質在幾分鐘內加熱到較高的溫度，因而微波對去除介電常數有較大差異的雜質有著獨特的優勢。當微波穿過石英砂時，SiO2基本不吸波，但氣液包裹體中的小分子受熱，其熵焓值提高，分子之間產生劇烈碰撞摩擦，氣液包裹體的空間一定，從而使其內部壓力不斷上升，達到一定的壓強后砂粒壁內外產生強大的壓強差，形成較大的剪切應力促使砂粒壁炸裂，氣液包裹體從裂紋中逸出，從而達到剔除氣液包裹體的目的。
參考來源：
叢金瑤.幾種偉晶巖石英的礦石學特征及雜質去除工藝研究
石星宇.連續拉晶下石英坩堝內氣泡變化規律及晶棒的性能研究
胡澤晨等.石英砂的提純技術現狀及挑戰
侯清麟等.石英砂結構組成性雜質剔除技術現狀
侯清麟等.剔除硅石礦中氣液包裹體方法的研究
中金點睛.中金·聯合研究 | 追光深度系列01：詳解光伏石英坩堝
（中國粉體網編輯整理/初末）
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