中國(guó)粉體網(wǎng)訊 近日，蘇州市人民政府印發(fā)《關(guān)于加快培育未來產(chǎn)業(yè)的工作意見》（以下簡(jiǎn)稱《意見》），提出到2030年，重點(diǎn)突破一批填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白的關(guān)鍵核心技術(shù)，未來產(chǎn)業(yè)與戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、優(yōu)勢(shì)主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)形成有效銜接，全市未來產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值突破5000億元。到2035年，形成1到2個(gè)領(lǐng)跑全國(guó)的千億級(jí)未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群，全市未來產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值突破10000億元。
《意見》指出，要結(jié)合蘇州市電子信息、裝備制造、生物醫(yī)藥、先進(jìn)材料四大主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)的規(guī)模優(yōu)勢(shì)，依托光子、集成電路、人工智能、新能源、創(chuàng)新藥物、納米新材料等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展優(yōu)勢(shì)，重點(diǎn)發(fā)展前沿新材料、光子芯片與光器件、元宇宙、氫能、數(shù)字金融、細(xì)胞和基因診療、空天開發(fā)、量子技術(shù)等未來產(chǎn)業(yè)。
其中，在前沿新材料領(lǐng)域：加快推動(dòng)第三代半導(dǎo)體等寬禁帶半導(dǎo)體材料、3D打印及粉末冶金先進(jìn)結(jié)構(gòu)材料、高性能碳纖維及復(fù)合材料、納米材料、高溫超導(dǎo)材料等前沿新材料產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。開展碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等單晶襯底及外延材料制備，推動(dòng)寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件、射頻器件等關(guān)鍵部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。加強(qiáng)材料合成、表征公共儀器平臺(tái)建設(shè)，謀劃研究極端核磁共振、中能多粒子加速器等重大項(xiàng)目。支持科研機(jī)構(gòu)利用材料大數(shù)據(jù)提升材料基因組研究能力，搭建虛擬與實(shí)驗(yàn)結(jié)合的前沿新材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系。鼓勵(lì)各類創(chuàng)新主體瞄準(zhǔn)航空航天、電子信息、能源裝備、生命健康等下游需求，加強(qiáng)材料配方、合成工藝、表征手段等方面的協(xié)作，加速?gòu)牟牧涎邪l(fā)、中試到量產(chǎn)等各環(huán)節(jié)的技術(shù)突破。
光子芯片與光器件領(lǐng)域：重點(diǎn)開發(fā)制造應(yīng)用于光制造、光通信、光傳感、光醫(yī)學(xué)、光顯示等領(lǐng)域的光子芯片，主要包括大功率半導(dǎo)體激光芯片、高速光通信芯片、傳感探測(cè)芯片、生物傳感芯片、硅光芯片、LED芯片、高性能光電一體化芯片和光子計(jì)算芯片。重點(diǎn)開發(fā)基于光學(xué)材料生產(chǎn)制造的光學(xué)元器件、主要包括高精密光學(xué)鏡頭，采用光集成技術(shù)的高速光調(diào)制器、光開關(guān)、分路器、熱光器件等無源器件和光源、探測(cè)器等有源器件。依托太湖科學(xué)城，高定位打造太湖光子中心，加快建成化合物半導(dǎo)體、硅光集成、MOEMS（微光機(jī)電系統(tǒng)）等基礎(chǔ)工藝平臺(tái)，完善產(chǎn)業(yè)載體建設(shè)。
蘇州市人民政府官網(wǎng)信息截圖
同時(shí)，《意見》指出，根據(jù)區(qū)域資源稟賦與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基礎(chǔ)，聚焦產(chǎn)業(yè)主攻方向，每年根據(jù)技術(shù)進(jìn)步和實(shí)際情況對(duì)未來產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域和空間布局進(jìn)行動(dòng)態(tài)評(píng)估和優(yōu)化調(diào)整。
來源：蘇州市人民政府官網(wǎng)
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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