由江蘇工業(yè)學(xué)院和江蘇省陶瓷研究所有限公司共同承擔(dān)的江蘇省高新技術(shù)項(xiàng)目“納米二氧化鈰拋光介質(zhì)的制備研究”，上周通過了江蘇省教育廳主持的成果鑒定。鑒定專家認(rèn)為，該技術(shù)為國內(nèi)首創(chuàng)。
該項(xiàng)目由江蘇工業(yè)學(xué)院陳志剛院長主持。他們采用六亞甲基四胺（HMT）為沉淀劑的均相沉癥法制備出了粒徑為10～20nm的球形CeO2拋光介質(zhì)，粉體顆粒尺寸均勻；采用尿素為沉淀劑的均相沉淀法制備出了100～300nm單分散球形CeO2，尺寸均一、可控。項(xiàng)目研究了醇水反應(yīng)體系下超聲輻射以及微波輻射等對CeO2粉體形核生長的影響規(guī)律，實(shí)現(xiàn)了粉體尺寸和形貌形成的可控性，具有創(chuàng)新性。
據(jù)悉，研究人員采用所研制的CeO2拋光介質(zhì)對硅晶片和砷化鎵晶片拋光，表面粗糙度分別為Ra≤0.089nm各Ra≤0.740nm，滿足了超光滑加工的要求，在滿足超光滑拋光的同時可提高拋光效率。應(yīng)用試驗(yàn)結(jié)果表明，該技術(shù)能明顯降低硅晶片表面粗糙度，為集成電路基片超光滑加工提供了關(guān)鍵技術(shù)。（葛金華 儲富強(qiáng)）
該項(xiàng)目由江蘇工業(yè)學(xué)院陳志剛院長主持。他們采用六亞甲基四胺（HMT）為沉淀劑的均相沉癥法制備出了粒徑為10～20nm的球形CeO2拋光介質(zhì)，粉體顆粒尺寸均勻；采用尿素為沉淀劑的均相沉淀法制備出了100～300nm單分散球形CeO2，尺寸均一、可控。項(xiàng)目研究了醇水反應(yīng)體系下超聲輻射以及微波輻射等對CeO2粉體形核生長的影響規(guī)律，實(shí)現(xiàn)了粉體尺寸和形貌形成的可控性，具有創(chuàng)新性。
據(jù)悉，研究人員采用所研制的CeO2拋光介質(zhì)對硅晶片和砷化鎵晶片拋光，表面粗糙度分別為Ra≤0.089nm各Ra≤0.740nm，滿足了超光滑加工的要求，在滿足超光滑拋光的同時可提高拋光效率。應(yīng)用試驗(yàn)結(jié)果表明，該技術(shù)能明顯降低硅晶片表面粗糙度，為集成電路基片超光滑加工提供了關(guān)鍵技術(shù)。（葛金華 儲富強(qiáng)）
