中國粉體網訊 近年來半導體設備的周期性正在減弱，行業增長趨勢加強。據國際半導體產業協會（SEMI）數據顯示，預計2022年半導體制造設備總銷售額將達到1085億美元的新高，較2021年1025億美元的行業紀錄增長5.9%。其中，預計2022年半導體測試設備市場銷售額為76億美元。而在半導體制造環節量測設備市場中，科磊、應用材料、日立高新技術等外國企業形成了巨頭壟斷優勢，國產化率極低。在細分領域，FTIR晶圓量測設備也大多依賴國外廠商進口。
作為較早布局半導體設備領域的本土企業，華矽蓋澤半導體科技（上海）有限公司（簡稱“蓋澤半導體”），針對晶圓類產品提供高精度光學檢測設備。目前，其自主研發生產的SiC外延膜厚測量設備GS-M06Y已正式交付客戶。
GS-M06Y將應用于半導體前道量測，主要針對硅外延/碳化硅外延層厚度進行測量。GS-M06Y設備采用了蓋澤半導體自主研發的高精算法、Load Port、控制軟件以及FTIR光路系統。公司自主研發的FTIR光路系統，可快速檢測晶圓厚度，實現了掃描速度快、分辨率高、靈敏度高等需求。
值得一提的是，對比國外友商同類型產品，蓋澤半導體檢測設備具有如下兩大優勢：
兼容性強，可基于客戶需求進行定制化。目前FTIR傅里葉紅外晶圓測量設備國內市場嚴重依賴進口，而進口設備大多為預設程序，兼容性低，且無法為國內企業進行定制化改造。蓋澤半導體檢測設備可滿足客戶不同需求，按照客戶要求進行設備定制化，如對接客戶MES系統或依據工程師習慣進行軟件改進，可大幅降低客戶的使用及維護成本。
測量時間更短，精度更高。GS-M06Y在測量硅晶圓速度、單片硅晶圓測量時間、測量精度、測試重復性、單點重復性等性能都達到了國際領先水平，部分性能甚至超越國外同類產品。
據集微網了解，此次出貨的設備與以往不同，此臺設備運用蓋澤半導體最新研發的碳化硅外延檢測技術，可對碳化硅外延精準測量，是繼蓋澤半導體9月硅外延檢測設備出貨后，公司的又一里程碑。蓋澤半導體不僅突破了SiC外延檢測技術，還可實現一代半導體（硅外延6英寸&8英寸&12英寸）、二代半導體（砷化鎵、磷化銦襯底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半導體（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化鎵外延）、SOI片頂層硅6英寸&8英寸&12英寸，以及鍺硅外延制程工藝中不同的外延層厚度測量。
目前，全球各大晶圓廠加速擴產，在復雜的地緣政治因素影響下，國產半導體設備迎來發展良機，蓋澤半導體站在時代的風口，不斷創新發展。多年來，蓋澤半導體在晶圓量測設備領域不斷深耕，憑借突出的技術優勢以及優秀的產品表現，為半導體晶圓前道量檢應用場景提供了一系列可以替換進口的國產化解決方案，致力擔綱國產化重任，力做國產晶圓量測設備領航者。
（中國粉體網編輯整理/山川）
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