中國粉體網訊 8月16日，楚江新材(002171.SZ)在互動平臺表示，子公司頂立科技的碳材料產品可用于第三代半導體碳化硅及金剛石的生長。公司在半導體領域主要圍繞“四高兩涂”的技術和產品進行研發和生產，可為碳化硅單晶生產企業提供高純原料及耗材的配套。
高純碳粉是制備碳化硅單晶的基礎材料。
由于碳化硅具有很多卓越的物理化學性能，使得其在航空航天、電子、能源和軍工等領域具有非常廣泛的應用前景。特別地，碳化硅作為第三代半導體的代表材料之一，非常適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。目前制作器件用的碳化硅單晶襯底材料一般采用PVT（物理氣相傳輸）法生長。SiC原料的純度、粒徑和晶型在PVT生長SiC單晶時起重要的作用，直接影響生長單晶的結晶質量和電學性質，尤其是高純半絕緣本征SiC晶體的制備需要使用高純SiC粉料。
目前，用于生長單晶的高純SiC粉料一般采用CVD法和改進的自蔓延合成法（又稱為高溫合成法或燃燒法）。然而，CVD法合成高純碳化硅粉料的成本高，不適于碳化硅粉料的批量化合成。改進的自蔓延高溫合成法制備過程簡單，合成效率高，在工業上被廣泛用于生產高純SiC粉體。該方法是將固態的Si源和C源作為原料，使其在1400～2000℃的高溫下持續反應，最后得到高純SiC粉體，而高純度的C粉是最常見的碳源材料。
頂立科技是楚江新材（002171）的控股子公司，是一家專業從事特種材料及特種熱工裝備研發、生產的國家重點高新技術企業。近年來其積極參與國家重大專項建設，通過自主創新，將材料制造工藝與裝備制造技術緊密結合，先后攻克了我國粉末冶金、碳材料等行業急需的關鍵熱工裝備的技術瓶頸。在高純碳粉方面，頂立科技已掌握6N級高純碳粉制備工藝，產品穩定性好、石墨化程度高、雜質少，可用于合成高純SiC粉、培育鉆石、鋰電池負極材料等方面。
參考來源：
[1]每日經濟新聞、頂立科技官網等
[2]羅昊等.碳化硅單晶生長用高純碳化硅粉體的研究進展
[3]馬康夫等.生長單晶用SiC粉料合成工藝研究進展
（中國粉體網編輯整理/山川）
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