中國粉體網(wǎng)訊 鼎龍股份3月10日早間公告，湖北鼎龍控股股份有限公司（以下簡稱“公司”）近年一直圍繞集成電路核心CMP全局平坦化工藝材料作為發(fā)展重點和延展方向，依靠公司在化學(xué)材料領(lǐng)域和工程化領(lǐng)域二十年的技術(shù)積累，公司控股子公司武漢鼎澤新材料技術(shù)有限公司的氧化鋁拋光液產(chǎn)品在某家公司28nm節(jié)點HKMG工藝的Al CMP制程驗證通過。
CMP（化學(xué)機械拋光）是提供超大規(guī)模集成電路(ULSI)制造過程中表面平坦化的一種新技術(shù)，于1965年首次由美國的Monsanto提出，最初是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面。CMP技術(shù)具有獨特的化學(xué)和機械相結(jié)合的效應(yīng)，是在機械拋光的基礎(chǔ)上，根據(jù)所要拋光的表面，加入相應(yīng)的拋光液，從而達到增強拋光和選擇性拋光的效果。CMP技術(shù)是從原子水平上進行材料去除，從而獲得超光滑和超低損傷表面，該技術(shù)廣泛應(yīng)用于光學(xué)元件、計算機硬盤、微機電系統(tǒng)、集成電路等領(lǐng)域。
（CMP工作原理圖）
拋光液是CMP技術(shù)中的決定性因素之一，其性能直接影響被加工工件表面的質(zhì)量以及拋光加工的效率。單一磨粒拋光液是指在拋光液中只含有二氧化硅（SiO2）、氧化鋁（Al2O3）、氧化鈰（CeO2）、氧化鋯（ZrO2）、納米金剛石等眾多常用磨粒之一。其中SiO2、Al2O3、CeO2是應(yīng)用最廣泛的。由于單一磨粒各方面性能的局限性，使用單一磨粒拋光液出現(xiàn)了很多難以解決的瓶頸問題。因此，很多研究人員轉(zhuǎn)而研究混合磨粒拋光液和復(fù)合磨粒拋光液，致力于解決化學(xué)機械拋光過程中加工效率和加工質(zhì)量的平衡問題。
鼎龍股份的拋光液產(chǎn)品即是使用氧化鋁研磨粒子和高分子聚合物混合的方式，技術(shù)難度高。公司已突破技術(shù)難關(guān)，實現(xiàn)三種關(guān)鍵材料的自主制備。該款搭載公司自制研磨粒子的拋光液產(chǎn)品，其各項參數(shù)均達到客戶應(yīng)用要求，通過客戶端全方面工藝參數(shù)驗證，并已進入噸級采購階段。
參考來源：上海證券報、中國粉體網(wǎng)
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）
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