中國粉體網訊 1月30日，東臺高新區與無錫海古德新技術有限公司就“高性能氮化鋁陶瓷材料項目”在江蘇富樂華功率半導體研究院正式簽約！
該項目投資6億元，建成后年產氮化鋁基板720萬片，氮化硅基板300萬片。氮化鋁與氮化硅是當今最炙手可熱的陶瓷基板材料。隨著功率器件特別是第三代半導體的崛起與應用，半導體器件逐漸向大功率、小型化、集成化、多功能等方向發展，對封裝基板性能也提出了更高要求。
與其他陶瓷材料相比，氮化硅陶瓷材料具有明顯優勢，尤其是在高溫條件下氮化硅陶瓷材料表現出的耐高溫性能、對金屬的化學惰性、超高的硬度和斷裂韌性等力學性能。氮化硅陶瓷的抗彎強度、斷裂韌性都可達到AlN的2倍以上，特別是在材料可靠性上氮化硅陶瓷基板具有其他材料無法比擬的優勢。氮化硅也被認為是綜合性能最好的陶瓷材料。
氮化鋁是兼具良好的導熱性和良好的電絕緣性能少數材料之一，高熱導率是氮化鋁的突出特點，室溫時其理論導熱率最高可達320W/(m•K)，是氧化鋁陶瓷的8～10倍，實際生產的熱導率也可高達200W/(m•K)，有利于LED中熱量散發，提高LED性能，在電子封裝對熱導率的要求方面，氮化鋁優勢巨大。
據了解，該項目源于清華大學國家863科技成果，并由無錫海古德新技術有限公司投資建設。無錫海古德新技術有限公司是一家擁有自主知識產權、高科技專利技術，集新型陶瓷材料及其電子元件研發、生產、銷售為一體的現代化高新技術企業。核心產品高性能氮化鋁（AlN）陶瓷材料、氮化硅（Si3N4）陶瓷基板及其元器件。
參考來源：東臺高新區公眾號、中國粉體網
（中國粉體網編輯整理/山川）
注：圖片非商業用途，存在侵權告知刪除
