中國粉體網訊 從山東省工信廳獲悉，《山東省第三代半導體產業發展“十四五”規劃 （征求意見稿）》提出，加快完善第三代半導體產業鏈體系，著力突破關鍵核心技術，切實提高全省第三代半導體產業創新能力，到2025年，打造百億級國家第三代半導體產業高地。
根據征求意見稿，到2025年，山東將建成較大規模先進特色工藝制程生產線，推動形成要素完備的第三代半導體產業聚集區，帶動模塊及系統應用方面相關產業產值突破300億元。建成國際先進的第三代半導體產業基地，帶動形成基于第三代半導體的電力電子、微波電子、大功率半導體照明生產、應用系統為核心的產業集群。建設第三代半導體國家地方聯合工程研究中心、國家博士后科研工作站、院士工作站，搭建國際先進的第三代半導體公共研發、檢測和服務平臺，全產業鏈創新能力得到有效提升。培育壯大掌握核心技術、具有國際競爭力和影響力的龍頭企業，帶動發展掌握核心關鍵技術的特色企業，夯實第三代半導體產業發展根基。
山東將發揮國家集成電路設計濟南產業化基地、青島嶗山微電子產業園、中德生態園集成電路產業基地、濟寧省級信息技術產業基地等集聚優勢，加大龍頭企業支持力度，加快構建“4+N” 區域布局。
其中，濟南將實施高性能集成電路突破計劃，優化升級國家集成電路設計產業化基地，依托山東天岳碳化硅襯底材料技術優勢，結合濟南比亞迪半導體芯片等上下游配套項目建設，打造基于硅基和碳化硅基功率半導體器件生產集聚區，建成國際先進的碳化硅半導體產業基地；青島則立足本地整機（系統）市場應用優勢，建設好芯恩、惠科等集成電路重大項目。
濟寧將重點做大單晶硅、晶圓片、外延片等上游半導體材料，強鏈發展中游半導體分立器件、功率器件及功能芯片產業；濰坊則將做好浪潮華光氮化鎵材料與器件產業化項目建設。
山東將聚焦材料、外延、芯片、封裝和應用等第三代半導體產業鏈重點環節，加強產學研聯合,以合資、合作方式培育和吸引高水平企業，促進產業集聚和產業鏈協同，打造第三代半導體電力電子、微波電子和半導體照明等第三代半導體產業發展高地。
謀劃建設第三代半導體關鍵技術研究公共技術平臺，搭建國際先進的涵蓋第三代半導體晶體生長技術、器件物理研究、微納器件設計與加工技術、芯片封裝與測試等核心技術實體研發創新中心，提升研發水平和效率。建設國際先進的第三代半導體研發、檢測和服務公共平臺，開展芯片和器件關鍵技術攻關。
優先將符合條件的產業鏈重點項目納入山東省新舊動能轉換重大項目庫，培育壯大細分行業領軍企業，逐步扶持企業上市。分批打造規模大、技術強、品牌響的“領航型”企業，培育細分領域的“瞪羚”“獨角獸”企業。
發揮財政支持作用，重點支持一批應用市場廣、產業基礎好、易于快速產業化的第三代半導體項目；加強產融合作，鼓勵社會資本通過多種方式進入第三代半導體產業領域，引導第三代半導體產業與金融資本深度合作，在銀行信貸、發行債券、股權融資等方面為產業發展提供資本支持，形成財政資金、金融資本、社會資金多方投入的新格局。
依托省內山東大學等高校、科研院所、國家和省級重點實驗室、重點工程中心、創新中心等機構，打造第三代半導體技術高端人才引進平臺，吸引全球第三代半導體領域高端人才。鼓勵企業聯合高校、科研院所設立人才培養基地，不斷增加人才培養數量、提高人才培養質量。
（中國粉體網編輯整理/黑金）
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