中國粉體網訊 今年來美國對華為等我國科技互聯網企業的制裁愈演愈烈，在美國的步步緊逼之下，華為的芯片來源已經都被封死，雖然華為開啟了南泥灣計劃和天才少年計劃，但是仍需要一定的時間，才能完成技術突破，國家也助力芯片行業的發展，中科院近期就傳來了一個好消息，在碳基芯片領域取得突破，相比于現在國際通用的硅基芯片的性能，要高出十倍以上。
雖然都說在未來的5G時代，手機電腦都不需要多強的芯片了，手機只是屏幕，計算全都交給云端的服務器了，但目前芯片仍然是多數智能終端的大腦，無可替代。由于我國在芯片行業上技術相對落后，而美國則各種專利一大堆，我們想要在傳統的硅基芯片上繞開美國的專利，完全自己研制出一套技術來，實在是難上加難，因為可用的方法大家都試過了，目前用的就是最優解，那如果換個材料呢？碳基芯片便走入了科研人員的目光。
傳統的硅基芯片在工藝不斷追求性能極致的壓榨下，臺積電掌握的4納米工藝已經是世界頂尖了，而2納米就是硅基芯片的工藝極限了，現在每提高一納米，整個工業復雜程度都成幾何倍數增加，成本越來越高，我國目前的半導體芯片技術只能完成14納米的量產，現在光刻機也被限制進口了，想要生產5納米以上的芯片，簡直是扯犢子。
碳基芯片又叫做石墨烯芯片，大家對這種芯片應該比較陌生，但是石墨烯應該都聽過，這是被譽為未來材料的神奇材料，華為在收到硅基芯片的技術突破后，也表現出了極大的興趣，派出團隊和中科院進行了深入的交流，若是真有能力制作出這種芯片，也將會成立研究小組，盡快將芯片的研發落到實處。
隨著石墨烯芯片迎來的技術突破，芯片國產化或將迎來轉折，硅基芯片的制作工藝被限定在2納米上，而碳基芯片就不同了，在同樣的工藝尺度下，碳基芯片的性能也是硅基芯片的是倍以上，在碳基芯片的研發將會是我國芯片國產化的關鍵著力點，不管是芯片的專利問題，制造高精度芯片的光刻機也是一臺超級機器，能夠實現在幾納米的尺寸作畫，需要好幾個國家的頂尖技術，和上百家企業的技術支持，目前沒有任何一個國家能單獨制作生產，未來就看碳基芯片能否在制作工藝上有所突破了。
（中國粉體網編輯整理/墨玉）
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