中國粉體網(wǎng)訊 長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授團(tuán)隊(duì)，近期在研發(fā)5G通訊元件及節(jié)能氮化鎵功率元件方面，成果豐碩；此外，電子系金國生教授接受國家中山科學(xué)研究院電子所委托，執(zhí)行經(jīng)濟(jì)部科專計(jì)劃｢具備自測(cè)功能的毫米波基地臺(tái)天線技術(shù)開發(fā)｣，擔(dān)任計(jì)劃主持人，帶領(lǐng)電子系陳元賀教授、李仲益教授及研究生團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開發(fā)5G通訊用毫米波38 GHz陣列天線及基地臺(tái)天線測(cè)試技術(shù)，亦有所展現(xiàn)。長(zhǎng)庚大學(xué)希望各大企業(yè)可以投入此前瞻產(chǎn)業(yè)，并且有更進(jìn)一步的擴(kuò)大技轉(zhuǎn)合作機(jī)會(huì)。
目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已經(jīng)不是單一方向的研發(fā)，必須從原物料、基板、磊晶、制程、模塊、應(yīng)用等多面向的合作，并且積極參加產(chǎn)業(yè)研發(fā)聯(lián)盟，目前，長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授團(tuán)隊(duì)，在應(yīng)用于高頻/高效率直流轉(zhuǎn)換器的硅基氮化鎵新型開關(guān)元件，或是針對(duì)第五代行動(dòng)通訊（5G）應(yīng)用，高頻率氮化鎵芯片都有相當(dāng)?shù)难芯砍晒?/p>
邱顯欽教授表示，為促進(jìn)我國新型半導(dǎo)體材料的發(fā)展產(chǎn)業(yè)，在高功率及高頻率應(yīng)用，氮化鎵（GaN）已經(jīng)是全球最受矚目的材料之一，其寬能隙、高電子遷移率、高電子飽和速度、及高熱穩(wěn)定等特性為主要優(yōu)勢(shì)。寬能隙特性造就其優(yōu)異的崩潰電壓與熱穩(wěn)定，有利于在新世代高壓、高功率通訊元件的操作；高電子飽和速度之特點(diǎn)更利于此元件在高頻率的卓越表現(xiàn)。
長(zhǎng)庚大學(xué)高速智能研究中心團(tuán)隊(duì)過去3年已經(jīng)開始InAlN/GaN HEMT on 6-inch SOI 基板的元件制作，該實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的高瓦數(shù)功率輸出GaN金氧半功率晶體管（閘極寬度2mm），電流增益截止頻率也到達(dá)了40GHz，28伏特偏壓底下操作可以擁有1.6W/mm功率密度，功率附加效率比傳統(tǒng)金半接面高5%，在50V偏壓時(shí)可以達(dá)到2W/mm的功率密度輸出，加上電場(chǎng)版技術(shù)后最高崩潰電壓已經(jīng)超過三百伏特，此外，也成功將元件覆晶于高散熱系數(shù)的氮化鋁與硅基板上，整合于高ESD保護(hù)電路之上。
學(xué)術(shù)界以及業(yè)界重要的研究?jī)?nèi)容，是以如何達(dá)到增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管開發(fā)與高壓DC/DC整流電路實(shí)現(xiàn)，該實(shí)驗(yàn)室近期開發(fā)新型p-GaN Gate E-mode HEMT及Anode recess GaN Schottky Barrier Diode，并利用多循環(huán)式濕蝕刻技術(shù)，大幅增加兩種元件的制造均勻性。相關(guān)技術(shù)不僅在學(xué)術(shù)發(fā)表外也成功技術(shù)轉(zhuǎn)移至6吋硅代工廠進(jìn)行量產(chǎn)技術(shù)落實(shí)，甚至結(jié)合此兩種元件技術(shù)也開發(fā)出VTH接近于0V的SBD元件。
落實(shí)這些晶體管與二極管技術(shù)之后，亦基于GaN晶體管元件其高速導(dǎo)通、截止的能力，提高電路的切換頻率，進(jìn)而縮小整體DC/DC converter體積及重量。開發(fā)過程也建立及分析GaN晶體管各項(xiàng)特性的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)，做為設(shè)計(jì)上的參考并開發(fā)以GaN晶體管為基礎(chǔ)的半橋式DC/DC電源轉(zhuǎn)換模塊，目前已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)出以GaN為晶體管與二極管的6000Watt與300Watt高速DC/DC升降壓轉(zhuǎn)換電路(Freq>1MHz)。
第五代行動(dòng)通訊（簡(jiǎn)稱5G），由于能夠提供高達(dá)10 Gbit/s的傳輸速率，已成為未來行動(dòng)通訊的主要發(fā)展技術(shù)之一。5G通訊產(chǎn)業(yè)規(guī)模之大，各國莫不全力投入開發(fā)。天線為5G通訊系統(tǒng)之關(guān)鍵組件，因5G操作頻率高達(dá)毫米波頻段，天線尺寸相對(duì)小，且各種高頻寄生效應(yīng)嚴(yán)重，故設(shè)計(jì)難度頗高。
長(zhǎng)庚大學(xué)電子系金國生教授接受中山科學(xué)研究院電子所委托，執(zhí)行經(jīng)濟(jì)部科專計(jì)劃｢具備自測(cè)功能之毫米波基地臺(tái)天線技術(shù)開發(fā)｣，擔(dān)任計(jì)劃主持人，帶領(lǐng)電子系陳元賀教授、李仲益教授及研究生團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開發(fā)5G通訊用毫米波38 GHz陣列天線及基地臺(tái)天線測(cè)試技術(shù)。中科院在5G技術(shù)發(fā)展上以基地臺(tái)系統(tǒng)技術(shù)為主軸，本計(jì)劃與中科院密切配合，形成整合型團(tuán)隊(duì)，強(qiáng)化臺(tái)灣地區(qū)在5G的技術(shù)研究，特別是在發(fā)展5G基地臺(tái)陣列天線技術(shù)方面。
此計(jì)劃所開發(fā)的38 GHz陣列天線，具有平面式、高增益、低旁波瓣、可波束掃瞄等功能。藉由設(shè)計(jì)巴特勒矩陣電路，與8′10貼片陣列天線組合，可達(dá)成四波束掃瞄功能，優(yōu)點(diǎn)是射頻與基頻電路不需做任何變動(dòng)，即可賦予系統(tǒng)空間多工的能力，成本較為低廉，且因?yàn)槭潜粍?dòng)式架構(gòu)，故功耗較小。此外，也提出一種簡(jiǎn)易型天線自測(cè)平臺(tái)，可在射頻端進(jìn)行天線簡(jiǎn)易功能測(cè)試，提供工程師初步研判天線系統(tǒng)功能是否正常，作為天線模塊維修或更換的參考。
陣列天線的饋電網(wǎng)路采用基板集成波導(dǎo)（SIW）結(jié)構(gòu)，基板介質(zhì)材料采用中科院開發(fā)的低介電氮化鋁材料，SIW結(jié)構(gòu)利用雷射鉆孔及電鍍方式填孔，搭配其低損耗毫米波基板先進(jìn)制程進(jìn)行陣列天線制作，協(xié)助中科院驗(yàn)證其毫米波材料用于5G天線設(shè)計(jì)的特性。
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/初末）
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