中國粉體網訊 近日，氮化鎵（GaN）射頻及功率器件產業化項目正式簽約落戶嘉興科技城。區委書記、嘉興科技城黨工委書記朱苗，嘉興科技城管委會副主任曹建弟，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司負責人出席簽約儀式。
該項目將新建大型規�；腉aN射頻器件與功率器件生產基地，總投資25億元，占地110畝。項目全部達產后可實現年銷售30億元以上，年稅收7000萬元以上。GaN屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性，能夠廣泛運用于5G通訊基站、智能移動終端、物聯網、軍工航天、數據中心、通信設備、智能電網及太陽能逆變器等領域。
（中國粉體網編輯整理/平安）
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