納米科學技術被認為是21世紀頭等重要科學技術,它是在納米尺度(0.1納米-100納米)上研究物質的特性并廣泛應用這些特性的多學科交叉、協作的科學技術。清華大學在納米科技領域已經處于世界科技前沿水平。
清華大學物理系納米科技實驗室于1997年,在國際上首次制備出氮化鎵一維納晶體,并提出了碳納米管限制反應的概念,并己被證實可推廣到制備其它材料的一維納米 晶體,為一維納米材料的制備提供了一條新途徑。
1998年,實現了硅襯底上碳納米管陣列的自組織生長。這項發明利用與微電子工業兼容的技術制備制碳納米管陣列,將會推進碳納米管在場發射平面顯示和納米器件領域的應用研究。目前這項技術也已被成功地用于硅和氮化鎵等半導體納米線的定位、定向生長。
清華大學物理系納米科技實驗室的研究成果受到了國內外同行的廣泛重視,研究成果也曾被列入一九九八年中國十大科技新聞、高等學校十大科技進展和科技部十項基礎研究成果,課題負責人范守善教授曾獲首屆“長江學者成就獎”二等獎。
清華大學物理系納米科技實驗室于1997年,在國際上首次制備出氮化鎵一維納晶體,并提出了碳納米管限制反應的概念,并己被證實可推廣到制備其它材料的一維納米 晶體,為一維納米材料的制備提供了一條新途徑。
1998年,實現了硅襯底上碳納米管陣列的自組織生長。這項發明利用與微電子工業兼容的技術制備制碳納米管陣列,將會推進碳納米管在場發射平面顯示和納米器件領域的應用研究。目前這項技術也已被成功地用于硅和氮化鎵等半導體納米線的定位、定向生長。
清華大學物理系納米科技實驗室的研究成果受到了國內外同行的廣泛重視,研究成果也曾被列入一九九八年中國十大科技新聞、高等學校十大科技進展和科技部十項基礎研究成果,課題負責人范守善教授曾獲首屆“長江學者成就獎”二等獎。