中國粉體網訊 碳納米管器件和集成電路因速度、功耗等方面優勢，被認為是未來最有可能替代現有硅基集成電路，延續摩爾定理的信息器件技術之一。經過近20年的研究，碳納米管電子學在器件物理、器件制備和優化、簡單集成電路和系統演示方面取得長足進展。
然而，受限于材料和加工工藝問題，碳納米管晶體管的制備規模、成品率和均勻性始終難以達到較高水平，限制了碳納米管集成電路技術進一步向產業化發展。
近期，在北京市科委支持下，北京大學彭練矛教授團隊針對如何將碳納米管從晶體管推向集成電路的世界性難題開展系統研究，取得重大進展。課題組通過對碳納米管材料、器件尺寸與結構、制備工藝的優化，實現了成品率100%的碳納米管晶體管批量制備，使用該材料制備的晶體管已接近商用65 nm技術節點硅基CMOS晶體管的水平；制備出包含140個晶體管的碳納米管四位全加器電路和兩位乘法器電路，是世界上目前集成度最高、復雜性最強的碳納米管集成電路，該電路的研制成功說明碳納米管技術已具備制作大規模集成電路的能力，將極大加快碳納米管集成電路的實用化進程。
