北京大學研制出10nm碳納米管CMOS器件

中國粉體網訊  近日，在北京市科委先導與優勢材料創新發展專項支持下，北京大學彭練矛教授團隊在全世界范圍內首次成功研制出10納米碳納米管CMOS器件，與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5，并在世界上首次成功制備出含有100個晶體管的碳納米管集成電路。課題的研究成果表明在10納米以下技術節點，碳納米管CMOS器件相對于硅基CMOS器件具有巨大優勢，這將大大增強研究機構和芯片公司對碳納米管電子學的信心，為2020年之后的集成電路技術的發展和選擇奠定重要基礎。

　　下一步，該團隊將繼續優化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標準的碳基CMOS器件技術加工平臺，并基于該平臺開發碳納米管CPU，最終推動碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領域的應用。