據臺灣媒體報道，因應半導體業進入納米技術時代，2003年國際半導體技術藍圖（ITRS）日前表示，半導體制程將從2年更新一代的周期延長為3年更新一代；同時，由臺積電主導的65納米以下光罩制作“浸潤式微影技術”（Immersion Lithography），也與無線通訊IC制程一同增列于2003年ITRS藍圖中，供全球半導體業遵循。
由歐盟、日本、韓國、美國與臺灣半導體產業協會所組成的ITRS，每年開會提出技術藍圖修正。代表成員之一的旺宏資深副總經理暨技術總監盧志遠表示，隨著納米技術難度提高，業者投資腳步放慢，為避免全球多數業者跟不上技術時程，導致被淘汰的厄運，2003年技術藍圖確定改為每2年更新一代延長為3年。
??臺積電邏輯技術發展處協理孫元成介紹該公司大力推動的“浸潤式微影技術”是在193納米波長曝光機的基礎上，于光源與晶圓之間加入水，以使波長縮短到132納米的微影技術，比起目前一般干式微影設備，此技術可支持65納米、45納米，甚至到32納米制程，可說是微影技術的一大突破。
??無線通訊IC越居通訊技術主流，硅半導體業目前已可量產頻率高達5GHZ的射頻IC，硅晶圓與硅鍺晶圓（SiGe）技術兼容性高，技術可望推升到100GHZ的高水平，這次ITRS技術藍圖也首次將無線通訊IC獨立增列于其中。
由歐盟、日本、韓國、美國與臺灣半導體產業協會所組成的ITRS，每年開會提出技術藍圖修正。代表成員之一的旺宏資深副總經理暨技術總監盧志遠表示，隨著納米技術難度提高，業者投資腳步放慢，為避免全球多數業者跟不上技術時程，導致被淘汰的厄運，2003年技術藍圖確定改為每2年更新一代延長為3年。
??臺積電邏輯技術發展處協理孫元成介紹該公司大力推動的“浸潤式微影技術”是在193納米波長曝光機的基礎上，于光源與晶圓之間加入水，以使波長縮短到132納米的微影技術，比起目前一般干式微影設備，此技術可支持65納米、45納米，甚至到32納米制程，可說是微影技術的一大突破。
??無線通訊IC越居通訊技術主流，硅半導體業目前已可量產頻率高達5GHZ的射頻IC，硅晶圓與硅鍺晶圓（SiGe）技術兼容性高，技術可望推升到100GHZ的高水平，這次ITRS技術藍圖也首次將無線通訊IC獨立增列于其中。
