主要材質:
金剛石形狀:
圓形莫氏硬度:
-密度(kg/m3):
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第三代半導體晶圓減薄砂輪采用了專研高性能陶瓷結合劑及業內先進的“Dmix+” 制程工藝。產品主要應用于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料襯底片和晶圓片的磨削減薄。產品性能穩定,同時注重加工效率與質量的平衡,所加工的晶片襯底及晶圓表面質量好、產品性價比高,適配國內、外主流減薄設備。可根據不同加工材料特性、尺寸以及使用的設備等條件,適配相應的砂輪及磨削工藝,滿足不同半導體材料以及加工磨床多元化發展的需要。
產品介紹:
MGS8碳化硅晶圓襯底研削磨輪
提高生產效率和研削質量,降低耗材使用成本
砂輪配方 | 晶片編號 | 減薄方式 | 壓力(電流) | 砂輪磨耗 |
86H2 | T02706245P16 | 雙面粗減 | C:14.3 | C:-0.0097 |
SI:15.5 | SI:0.0022 | |||
T18611243J15 | 雙面粗+細 | C:14.3 | C:0.0040 | |
SI:15.5 | SI:0.0073 |
UPNTECH-86H2粗磨減薄砂輪 | |
穩定電流 | 穩定電流 |
磨耗比(wheel/sic) | 15% |
砂輪壽命 | 700件 |
產品特點:
基體優化設計減少整體振動,增強冷卻液流動,可根據客戶不同設備需求定制不同規格砂輪。
采用獨特的高強度微晶增韌陶瓷結合劑配方及多孔顯微組織調控技術實現高研削性能。
超細的金剛石磨粒,超高自銳性,高磨削效率,可獲得低損傷和低表面粗糙度的晶圓。
核心技術1高強度微晶增韌陶瓷結合劑
核心技術2 多孔砂輪顯儻組織調控技術
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