間歇式旋轉(zhuǎn)爐廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究、工業(yè)生產(chǎn)和實(shí)驗(yàn)室等領(lǐng)域，具有多種應(yīng)用場(chǎng)景。該設(shè)備爐膛主要采用氧化鋁陶瓷纖維制品，熱導(dǎo)率和比熱容極低，保證了爐膛的快速升溫和低蓄熱。通過MCGS觸摸屏組態(tài)控制，可實(shí)現(xiàn)設(shè)備加熱溫度、氣體流量、PD整定等參數(shù)的人工設(shè)定和自動(dòng)化控制，且手機(jī)APP可遠(yuǎn)程進(jìn)行操控，精確控溫和數(shù)據(jù)采集的同時(shí)還大大提高了工作效率。總的來說，間歇式旋轉(zhuǎn)爐在材料燒結(jié)、釬焊、熔化、相變研究、金屬熱處理、陶瓷燒成等多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

1.溫度均勻：該設(shè)備配備轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)，可讓爐管進(jìn)行360°勻速旋轉(zhuǎn)，保證實(shí)驗(yàn)材料的均勻受熱。

2.高效精準(zhǔn)：采用EP級(jí)管路，保證管路內(nèi)部潔凈，極大增強(qiáng)實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)確性。

3.安全可靠：設(shè)備配備管路采用自動(dòng)焊接連接方式，有效防止管路漏氣，并配備多種安全保護(hù)裝置，室內(nèi)氣體檢測(cè)、超溫報(bào)警、斷偶報(bào)警等，確保設(shè)備的安全運(yùn)行。

4.實(shí)驗(yàn)范圍廣：接頭采用EP級(jí)VCR超純凈高真空接頭，可導(dǎo)通硅烷氣體或其他易燃易爆氣體具有較高的通用性和靈活性。

硅碳負(fù)極生產(chǎn)工藝流程講解

一、硅碳負(fù)極生產(chǎn)工藝流程

硅碳負(fù)極生產(chǎn)工藝流程圖

（1）氣相沉積

      多孔碳材料粉末經(jīng)人工投料入加料倉(cāng)，加料倉(cāng)經(jīng)正壓輸送粉末加入氣相沉積爐中，置換空氣，通入硅烷/氮?dú)饣旌蠚怏w，在高溫（400-550℃）作用下，氣體熱解將硅沉積在碳材料上，一段時(shí)間（4h）后停止充入硅烷。再將溫度升至 550-700℃，充入乙炔/氮?dú)饣旌蠚怏w，氣體熱解將碳沉積在硅/碳材料上，持續(xù)時(shí)間 4h 。該過程涉及的反應(yīng)：

     氣相沉積過程主要工藝廢氣 G2 含有氫氣、未發(fā)生反應(yīng)的硅烷、乙炔，以及氣流帶出的顆粒物 G1，尾氣先通入進(jìn)行熱氧化+水噴淋處理，再通入焚燒爐進(jìn)一步燃燒。

      反應(yīng)結(jié)束后的負(fù)極材料人工轉(zhuǎn)移倒入篩分機(jī)內(nèi)進(jìn)行篩分，篩上物直接作為固廢，再將篩下物進(jìn)入除磁設(shè)備中，除磁設(shè)備將物料中的磁性顆粒去除，去除的磁性物質(zhì)直接作為固廢，剩余的物料為產(chǎn)品。此工序主要污染物為顆粒物 G1-2、S1 廢磁力材料。

      篩分除磁后打開出料閥門，隨后人工將負(fù)極材料輸送到自動(dòng)化的真空包裝機(jī)內(nèi)包裝，負(fù)極材料會(huì)在密閉的包裝機(jī)內(nèi)完成裝袋并封口，全過程密閉，產(chǎn)生逸散粉塵 G1-3經(jīng)布袋除塵器收集處理后無組織排放，包裝后的產(chǎn)品儲(chǔ)存至倉(cāng)庫(kù)外售。

硅碳負(fù)極生多孔碳使用量為 19t/a，硅烷使用量為 21t/a，反應(yīng)轉(zhuǎn)化率達(dá)到 91%；乙炔使用量為 6300 m 3 ，密度為 0.62kg/m 3 ，折算質(zhì)量為 3.906t/a，反應(yīng)轉(zhuǎn)化率達(dá)到 15%。

三、硅碳負(fù)極主要生產(chǎn)設(shè)備

四、硅碳負(fù)極主要原輔料