特質：

物理性質：密度 3.21g/cm3，2700℃分解升華，熱膨脹系數小、導熱好，含雜質時具半導體特性，硬度高僅次于超硬材料，純凈無色，工業產品因純度呈多種顏色。

化學性質：800℃開始在空氣中氧化，1600℃因二氧化硅保護膜氧化停滯；抗酸性強，抗堿性差，高溫下與多種物質發生反應 。

晶體以硅 - 碳四面體為單元，通過共價鍵結合，主要有 α - SiC（六方）和 β - SiC（立方）兩種結構，β - SiC 在 2100℃以上轉變為 α - SiC。工業制取常用碳還原二氧化硅法（艾奇遜法、ESK 法）和氣相沉積法，后者可制高純度碳化硅。

應用：

磨料：黑碳化硅用于切割研磨低抗張強度材料；綠碳化硅用于硬質合金、光學玻璃加工。

耐火材料：用于化工設備、金屬冶煉、鋼鐵、硅酸鹽、航天等領域的高溫部件。

化工：作鋼鐵脫氧劑，參與生產四氯化硅。

電工與半導體：制作加熱元件、電阻，用于半導體器件，提升新能源汽車、光伏等領域電子設備性能，還用于制造高效發光半導體和射頻器件。

其他：應用于汽車、航空航天、醫療、能源等領域，如電動汽車部件、航空發動機熱端、人工關節、太陽能電池襯底等。