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8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底品牌
華創(chuàng)晶瑞產(chǎn)地
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技術(shù)優(yōu)勢
晶體利用率高，成本低 品質(zhì)達(dá)到P-MOS級(jí)
采用PVT長晶法
籽晶粘結(jié)成功率接近100%
平均生長速度0.13-0.16mm/h
長晶良率高于行業(yè)水平
加工良率達(dá)到90%
有效的降低了單片成本。
SiC 晶錠一致性非常優(yōu)秀
晶片表面粗糙度0.075納米
暫無數(shù)據(jù)！
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