產(chǎn)品特點

可生長8英寸碳化硅晶體

腔體內(nèi)壁拋光處理，減少附著力，實現(xiàn)高真空

更精準的控壓技術，長晶工藝壓力波動<5Pa

多溫區(qū)設計，方便調(diào)節(jié)軸向和徑向溫度場

坩堝軸冷卻水流量可精確控制，溫度場更穩(wěn)定

配備坩堝升降和旋轉功能，方便厚膜晶體生長溫度場控制

可選配坩堝拆卸絞盤和平臺，拆爐方便、安全

自主開發(fā)的控制系統(tǒng)，豐富的公式編輯界面，操作權限分級，可遠程控制

技術參數(shù)

腔體內(nèi)部尺寸Φ850×800mm總加熱功率55kW**溫度2400℃坩堝軸升降速度加工速度：0.01-0.5mm/h

快進速度：6-300mm/min極限真空1.4E-4Pa壓力控制精度±0.5％電源接口3P 380VAC，95kVA氣源Ar、He、N2，壓力＞0.2MPa

壓縮空氣、壓力0.4-0.6MPa冷卻水圧力0.3-0.5MPa

流量150L/min尺寸2300×2000×3000mm（不包括坩堝拆卸絞車和平臺）

3400×2000×3000mm（包括坩堝拆卸絞盤和平臺）重量3900kg