前   述：碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料的代表，在禁帶寬度、擊穿電場、熱導率、電子飽和速率、抗輻射能力等關鍵參數方面具有顯著優勢，滿足了現代工業對高功率、高電壓、高頻率的需求，主要被用于制作高速、高頻、大功率及發光電子元器件。下游應用領域包括智能電網、新能源汽車、光伏風電、5G通信等，在功率器件領域有碳化硅二極管、MOSFET等已經開始商業化應用。作為碳化硅晶錠的長晶基礎原材料也尤其重要，高品質、高純度、高穩定的碳化硅粉料才可以生長出品質優越且質量穩定的大尺寸晶錠從而生產出高品質晶片襯底。

   高純度碳化硅粉料-產品純度3N-6N

針狀-未除碳料

顆粒狀-除碳料

針狀-除碳料