粵升設(shè)備融合二十余年的SiC晶體工藝經(jīng)驗(yàn)打造，給您提供高質(zhì)量，低成本的SiC單晶。

設(shè)備名稱:液相法SiC單晶爐

規(guī)格參數(shù)

設(shè)備型號(hào):YS-C08S01

設(shè)備尺寸:L1800xW1400xH3750mm

適用工藝:LPE法(兼容PVT法)

長(zhǎng)晶尺寸:6吋兼容8吋

籽晶/坩堝升降行程:200mm

籽晶/坩堝旋轉(zhuǎn)速度范圍:0-180rpm

**加熱溫度:800~2200℃C

設(shè)備特點(diǎn)

·液相法SiC長(zhǎng)晶特點(diǎn)

·生長(zhǎng)的晶體質(zhì)量高，缺陷少，沒有微管類缺陷，晶體應(yīng)力低，

·可生長(zhǎng)n型、p型SiC單晶晶錠，也可生長(zhǎng)3C-SiC

·生長(zhǎng)過程對(duì)溫場(chǎng)影響小，工藝穩(wěn)定性好

·不需預(yù)合成SiC粉原料，生長(zhǎng)成本低

·生長(zhǎng)溫度低，能耗低。