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4H-碳化硅粉體
可用于生長第三代半導體碳化硅單晶襯底，面向新能源汽車、光伏/風電逆變器、特高壓輸變電等市場，能夠有效提高物理氣相沉積法(PVT)生長碳化硅單晶的良率。
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