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銻化鎵（GaSb）是III-V族的鎵和銻的半導體化合物。它具有約0.61nm的晶格常數。 得益于其電氣、光學、熱學等方面的特性，GaSb可用于紅外探測器，紅外LED和激光器和晶體管，以及熱光電系統，在高量子效率及高頻器件中擁有巨大的應用潛力。此外，銻化鎵可用于具有定制光學和傳輸特性的超晶格，串聯太陽能電池布置中的升壓電池，用于提高光伏電池和高效熱光伏 (TPV) 電池的效率。廈門中芯晶研可提供2”,3”,4”銻化鎵單晶片。
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