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二硫化鉬晶體-MoS2品牌
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產品技術參數：
| 產品名稱 | 二硫化鉬晶體-MoS2 |
| 貨號 | RDB-DJ-005 |
| 性質 | 半導體 |
| 帶隙 | 塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV |
| 參數 | 尺寸：~10 mm-30 mm |
| 應用 | 半導體電子器件，光學器件等研究 |
產品規格：
>25 mm2
>35 mm2
>50 mm2
大尺寸晶體照片:
XDR: Raman:
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高熵合金（High entropy alloys，HEAs）是由4種或4種以上元素以等摩爾比或近似等摩爾比組成的具有簡單晶體結構的合金。與傳統合金不同，高熵合金沒有主體元素，傾向于形成簡單固溶體結構，
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