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其中硅氧碳（SiO@C）采用控制含氧量/優化結構形貌為基礎的“低鋰耗”技術，結合碳包覆提升電子電導率、穩定化學/電化學反應界面、提升材料的結構穩定性，從而達到高首效、長循環的目的。該技術比“預鋰化”技術更安全，更易加工，儲存更方便，且成本更低。
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