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產(chǎn)品簡介
Eachwave推出的低溫砷化鎵光電導(dǎo)太赫茲近場探針系列是新一代的高性能光電導(dǎo)型微探針，利用此太赫茲近場探針，樣品表面的近場太赫茲電場可被以被較高的分辨率測量，信號質(zhì)量好，噪聲低。這些太赫茲探針可以無縫的與激發(fā)波長低于860nm的THz-TDS系統(tǒng)配合使用。THz近場探針提供了一個低成本的解決方案，可將您的THz-TDS升級為高分辨率的太赫茲近場掃描成像系統(tǒng)。
產(chǎn)品特點：
— 市場上*小的太赫茲近場探針
— **設(shè)計
— 空間分辨率可達(dá)3um
— 探測頻率范圍：0-4THz
— 適用于所有基于激光的THz系統(tǒng)
— 安裝可兼容標(biāo)準(zhǔn)的光機械組建
— 集成過載保護電路
橫向場太赫茲近場探針
橫向場太赫茲近場探針規(guī)格參數(shù)
| TeraSpike TD-800-X- | HR | HRS |
| *小空間分辨率 | 3um | 20um |
| PC gap size | 1.5um | 2um |
| 暗電流 @1V 偏置電壓 | <0.5nA | <0.5nA |
| 光電流 | >1uA | >0.6uA |
| 激發(fā)波長 | 700..860mW | |
| 平均激發(fā)功率 | 0.1-4mW | |
| 接頭類型 | SMP | |
縱向場太赫茲近場探針
縱向場太赫茲近場探針規(guī)格參數(shù)
| TeraSpike TD-800- | A-500G | N |
| **空間分辨率 | 8 um | 8 um |
| PC gap size | 5 um | 2 um |
| 暗電流 @1V 偏置電壓 | <0.4 nA | <0.4 nA |
| 光電流 | >0.5 uA | >0.1 uA |
| 激發(fā)波長 | 700..860mW | |
| 平均激發(fā)功率 | 0.1-4mW | |
| 接頭類型 | SMP | |
反射式太赫茲近場探針
反射式太赫茲近場探針是一款收發(fā)一體化的太赫茲近場探針產(chǎn)品。探針具有雙天線結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)極大的縮短了太赫茲的傳輸路徑，可有效的應(yīng)用于太赫茲近場時域譜測試以及成像測試系統(tǒng)中。
時域譜測試
反射式太赫茲近場探針結(jié)構(gòu)
反射太赫茲近場探針測試樣例
反射式太赫茲近場探針規(guī)格參數(shù)
| 型號 | 暗電流@1V偏壓 | 光電流 | 激發(fā)波長 | 平均激發(fā)功率 | 鏈接頭 |
| TeraSpike TD-800-TR.5 | < 1.5nA | > 0.5uA | 700-860nm | 0.1-4mW | 2×SMP |
適用于1550nm波長的太赫茲近場探針
規(guī)格參數(shù)
| 型號 | 脈沖上升時間 | 帶寬 | 激發(fā)波長 | 激發(fā)功率 | 懸臂材料 |
| TeraSpike TD-1550-Y-BF | <1ps | 0.01-2.5THz | 700-1600nm | 0.1-4mW | InGaAs(n-type) |
應(yīng)用案例
THz 近場探針結(jié)構(gòu)示意圖
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