儀器簡介：

薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)（薄膜應(yīng)力儀，薄膜應(yīng)力計，薄膜應(yīng)力測試儀），測量光學設(shè)計MOS傳感器榮獲美國**（**號US 7，391，523 B1）！同時kSA公司榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！

該設(shè)備已經(jīng)廣泛被全球知名高等學府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center，Max Planck Institute，西安交通大學，中國計量科學研究院，中科院微系統(tǒng)研究所，上海光機所等）、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center，Phillips Semiconductor，NEC，Nissan ARC，Nichia Glass Corporation）等所采用；

同類設(shè)備：

薄膜應(yīng)力測試儀（薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力計）；

薄膜殘余應(yīng)力測試儀；

實時原位薄膜應(yīng)力儀；

技術(shù)參數(shù)：

Film Stress Tester， Film Stress Measurement System，F(xiàn)ilm Stress Mapping System;

1.變溫設(shè)計：采用真空和低壓氣體保護，溫度范圍RT~1000°C；

2.曲率分辨率：100km；

3.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍：up to 300mm（可選）；

4.XY雙向掃描速度：可達20mm/s；

5.XY雙向掃描平臺掃描步進分辨率：2 μm ；

6.樣品holder兼容：50mm， 75mm， 100mm， 150mm， 200mm， and 300mm直徑樣品；

7.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點線性掃描、全面積掃描；

8.成像功能：樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像，及3D成像分析；

9.測量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強度、應(yīng)力、Bow和翹曲等；

10.溫度均勻度：優(yōu)于±2攝氏度；

主要特點： 1.**技術(shù)：MOS多光束技術(shù)（二維激光陣列）；

2.變溫設(shè)計：采用真空和低壓氣體保護，溫度范圍RT~1000°C；

3.樣品快速熱處理功能；

4.樣品快速冷卻處理功能；

5.溫度閉環(huán)控制功能，保證優(yōu)異的溫度均勻性和精度;

6.實時應(yīng)力VS.溫度曲線；

7.實時曲率VS.溫度曲線；

8.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點線性掃描、全面積掃描；

9.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力成像分析；

10.測量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等；

11.氣體（氮氣、氬氣和氧氣等）Delivery系統(tǒng)；

實際應(yīng)用：