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L79/HCS系統可用于半導體組件性能表征，包括:遷移率，電阻率，載流子濃度和霍爾常數。
基本型提供不同形狀和溫度條件下所需的樣品支架。選配低溫（液氮）附件結合高溫爐（溫度可達240°C）可保證所有應用領域環境條件下的測試。永磁體和電磁鐵可提供高達數個特斯拉強度的固定或者可變磁場。
基于測量軟件可顯示的視窗內容包括I-V 和 I-R 數據圖.
系統可測試多種材料包括Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N 型或P型均可測量)， 金屬膜， 氧化物等. 樣品測試時便可完成系統功能演示
特點
? 載流子濃度
? 電阻率
? 遷移率
? 電導率
? α (水平電阻值/垂直電阻值)
? 霍爾常數
? 磁致電阻
| 輸入電流: | 500nA 到 10mA (500nA 步長) |
| 霍爾電壓: | 0.5 到 4.5V |
| 分辨率: | 65pV |
| 樣品形狀: | 15x15， 20x20， 25x25mm， 高度可達 5mm |
| 磁場強度: | 可達 1T |
| 傳感器: | 液氮溫度到 240°C |
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