■ 常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）

———常溫型近紅外探測器，波長范圍：0.8-1.7μm

■ TE制冷型銦鎵砷探測器（InGaAs）

——TE制冷型近紅外探測器，波長范圍：0.8-2.6μm

TE制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs(x)-TE具有相同的外觀設計，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進口二級TE制冷銦鎵砷探測元件。

技術參數(shù)：

■ 常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）

———常溫型近紅外探測器，波長范圍：0.8-1.7μm

三種常溫型銦鎵砷探測器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外觀設計，其中：

◆ DInGaAs1600型內(nèi)裝國產(chǎn)小面積InGaAs探測元件（光譜響應度曲線參考圖1）

◆ DInGaAs1650型內(nèi)裝國產(chǎn)大面積InGaAs探測元件（光譜響應度曲線參考圖2）

◆ DInGaAs1700型內(nèi)裝進口大面積InGaAs探測元件（光譜響應度曲線參考圖3）

主要特點：

■ 常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）

———常溫型近紅外探測器，波長范圍：0.8-1.7μm

■ TE制冷型銦鎵砷探測器（InGaAs）

——TE制冷型近紅外探測器，波長范圍：0.8-2.6μm

TE制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs(x)-TE具有相同的外觀設計，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進口二級TE制冷銦鎵砷探測元件，光譜響應曲線參考圖如下：

銦鎵砷探測器使用建議：

● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器ZAMP（Page85)做為前級放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號；標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；

● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；

● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時，由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；

● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測，在制冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）進行降溫控制；