隨著“超越摩爾定律”技術的普及，封裝和組裝相關缺陷變得越來越難以識別。互連更加精細、更加復雜；芯片和封裝被堆疊并平鋪為復雜結構。焊點間距更小，而基板則采用更高的圖案密度和嵌入式組件。缺陷在不斷增加，缺陷檢測則變得更加困難。

通過使用具有**靈敏度的高分辨率鎖相熱成像 (LIT)，ThermoScientific™ ELITE™系統為各種缺陷類型的通孔封裝缺陷、片上缺陷甚至板載電氣缺陷的定位提供了一套重要解決方案，這些缺陷包括電源或線路短路、ESD 缺陷、電流泄漏、氧化傷害、缺陷晶體管和二極管、器件閂鎖以及電阻性開路。

ELITE 是**款可為二維和三維器件提供動態無損實時 LIT 的完全集成系統。作為市場***，ELITE 系統的設計采用專有的高靈敏度 InSb 攝像頭、定制光學器件和高級算法，具有出眾的性能，并可以在*短時間內獲得結果，通過為失效分析工程師提供根本原因分析所需的關鍵信息，有效縮短分析學習的周期。

另外，由于具有所有無損技術中**的熱靈敏度，ELITE 系統能夠檢測**挑戰性的缺陷，無需開封檢查或從封裝中取出芯片，甚至無需對 IC 器件進行剝層，因而消除了使用有損方法時意外遺漏故障的風險。

此外，ELITE 系統可與其他無損技術（例如掃描聲學顯微鏡 (SAM) 或二維和三維 X 射線技術）相結合，通過傳遞故障位置的精確 x、 y 和 z 坐標，加快獲得結果的速度并提高成功率，從而在需要深度信息或存在微小特征時顯著縮小 X 射線和 SAM 的搜索半徑并縮短檢查時間。ELITE 系統還提供配備固體浸沒透鏡 (SIL) 和 S-LSM 選項的高分辨率光學器件，可實現**水平的分辨率和圖像質量。

主要優勢：

完全無損，無需開封檢查，無需逆向處理，沒有遺漏或損害缺陷證據的風險

快速識別 精確定位集成電路板上的缺陷元件

定位缺陷在x-y方向有微米精度，深度定位精度20 μm