司掌握了國內(nèi)外企業(yè)、高等院校和研究院所的先進生產(chǎn)技術(shù)和研究成果，設計了國內(nèi)******氮化硅陶瓷基板自動化生產(chǎn)線，產(chǎn)品經(jīng)多家用戶檢測和軍方權(quán)威機構(gòu)檢測，驗證結(jié)果與國外產(chǎn)品相當，局部優(yōu)于國外產(chǎn)品。

氮化硅（Si3N4）基板與BeO、Al2O3和AlN基板相比較，具有綜合性能******、使用壽命***長（是AlN的15~20倍）、可靠性******的特點，詳細如下：

l 絕緣性好：電阻率=1.0×1015~1016，電阻率約是BeO和AlN的10倍，Al2O3的10萬倍

l 導熱性強：熱導率=80-177（理論值達320），熱導率是Al2O3的3倍以上，與AlN相當，略遜于BeO

l 反應靈敏：介電常數(shù)=9.4，與Al2O3和AlN相當

l 熱穩(wěn)定：熱膨脹系數(shù)=3，遠低于BeO，比AlN低，約為Al2O3的1/3

l 壽命長：耐熱循環(huán)次數(shù)=2000~5000次，是AlN和Al2O3的15~20倍，大大降低設備折舊成本

l 抗振動：高模量、機械強度大。

l BeO屬于劇毒產(chǎn)品，僅用于要求特殊的航天和導彈戰(zhàn)斗部

l Al2O3和是目前價格*********的基板，但是其導熱性和使用壽命遠遠不能滿足第三代半導體產(chǎn)業(yè)的要求。

l AlN的主要問題是價格高（與Si3N4相當）但可靠性只有Si3N4的十分之一。

l Si3N4基板具有向下兼容的特點，無需驗證即可直接替代上述三種基板，不必再次驗證。

l 隨著Si3N4相基板的產(chǎn)量的增加和價格的下降，將逐步代替原來由Al2O3和AlN占據(jù)的市場份額，

(二) 新穎性、先進性和獨特性

l 產(chǎn)品屬于國家“核高基”領域的軍民兩用卡脖子產(chǎn)品，在細分行業(yè)處于領軍地位，市場緊缺，替代進口。

l 設計了國內(nèi)******氮化硅陶瓷基板自動化生產(chǎn)線，嚴格的預處理技術(shù)和先進的生產(chǎn)技術(shù)保證了氮化硅基板在微量元素含量、N/O比值、表面粗糙度、晶粒尺寸和晶間相等方面的嚴格要求，晶格缺陷大大減少了，性能指標大大提升。

l 形成了既滿足量大面廣的民用產(chǎn)品的要求、還可提供高性能指標的基板和/或基片，形成高低搭配的、*********的系列產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)體系。