非金屬電熱元件：
其他金屬電熱元件：
鎳銅絲燒結氣氛：
其他溫控精度：
-最高溫度：
1200額定溫度：
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PECVD 系統的設計是為了降低傳統化學氣相沉積的反應溫度。在傳統化學氣相沉積前面安裝射頻感應裝置，電離反應氣體，產生等離子體。等離子體的高活性是由于等離子體的高活性加速了反應的進行。這個系統叫做 PECVD。
該型號是博納熱**產品，綜合了大多數 PECVD 爐系統的優點，在 PECVD 爐系統前增加了預熱區。試驗表明，沉積速度快，膜層質量好，孔洞少，不開裂。配備AISO 全自動智能控制系統，操作方便，功能強大。
PECVD 爐的應用范圍很廣: 金屬膜、陶瓷膜、復合膜、各種膜的連續生長。易增加功能，可擴展等離子清洗蝕刻等功能。
高薄膜沉積速率: 采用射頻輝光技術，大大提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達1000s.
高面積均勻性: 先進的多點射頻送料技術、特殊氣路分布、加熱技術等，使薄膜均勻性指數達到8%.
高濃度: 使用先進的設計概念的半導體產業，一個沉積基板之間的偏差小于2%.
高過程穩定性: 高度穩定的設備確保了連續和穩定的過程。
插管4支
爐管1根
真空泵1件
真空密封法蘭2套
真空計1件
氣體輸送和真空泵
射頻等離子體設備
快卸法蘭，三通法蘭
7英寸高清觸摸屏
| 一、技術參數 | |
| 型號 | BR-PECVD-500A |
| 加熱長度和恒溫區長度 | 440mm, 200mm |
| 爐管尺寸 | Ф100x1650mm （爐管直徑可根據實際需要定制） |
| **工作溫度 | 1200 oC (<1小時) |
| 長期工作溫度 | ≤1100℃ |
| 電壓及額定功率 | 單相，220V，50Hz |
| 控溫方式
| ?51段可編程控溫，PID參數自整定， ?操作界面為10”工控電腦，內置PLC控制程序， ?可將溫控系統、滑軌爐滑動（時間和距離）設定為程序控制。 |
| 控溫精度 | ± 1 oC |
| 溫度均勻度 | ± 5 oC |
| 加熱速率 | ≦20 oC /分鐘 |
| 熱電偶 | K型 （熱電偶保護管為純度 99.7%的剛玉管） |
| 加熱元件 | HRE電阻絲 |
| 真空度 | 工作真空度10-2 Pa (冷態及保溫) 極限真空度10-3 Pa (極限真空度） |
| 爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
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