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鉻磷硫單晶
| 號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數 |
| 102324 | XF236 | 大于 10mm2 | 純度：99.99% | |
| 102325 | XF236 | 大于 25mm2 | 純度：99.99% | |
| 102326 | XF236 | 大于 100mm2 | 純度：99.99% |
產品名稱
中文名稱：鉻磷硫單晶
英文名稱：CrPS4 Single crystal
性質
晶體種類：磁性半導體
純度：99.99%
應用
電子器件實驗，物理性能研究等。
其他信息
儲存條件：常溫干燥避光保存，開封前保存6個月。
鐵磷硫單晶
| 貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數 |
| 102321 | XF235 | 大于10mm2 | 純度：99.99% | |
| 102322 | XF235 | 大于25mm2 | 純度：99.99% | |
| 102323 | XF235 | 大于100mm2 | 純度：99.99% |
產品名稱
中文名稱：鐵磷硫單晶
英文名稱：FePS3 Single crystal
性質
晶體種類：磁性半導體
純度：99.99%
應用
電子器件實驗，物理性能研究等。
其他信息
儲存條件：常溫干燥避光保存，開封前保存6個月。
鎳磷硫單晶
| 貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數 |
| 102318 | XF234 | 大于10mm2 | 純度：99.99% | |
| 102319 | XF234 | 大于25mm2 | 純度：99.99% | |
| 102320 | XF234 | 大于100mm2 | 純度：99.99% |
產品名稱
中文名稱：鎳磷硫單晶
英文名稱：NiPS3 Single crystal
性質
晶體種類：磁性半導體
純度：99.99%
應用
電子器件實驗，物理性能研究等。
其他信息
儲存條件：常溫干燥避光保存，開封前保存6個月。
鈷磷硫單晶
| 貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數 |
| 102315 | XF233 | 大于10mm2 | 純度：99.99% | |
| 102316 | XF233 | 大于25mm2 | 純度：99.99% | |
| 102317 | XF233 | 大于100mm2 | 純度：99.99% |
產品名稱
中文名稱：鈷磷硫單晶
英文名稱：CoPS3 Single crystal
性質
晶體種類：磁性半導體
純度：99.99%
應用
電子器件實驗，物理性能研究等。
其他信息
儲存條件：常溫干燥避光保存，開封前保存6個月。
錳磷硒單晶
| 貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數 |
| 102312 | XF232 | 大于10mm2 | 純度：99.99% | |
| 102313 | XF232 | 大于25mm2 | 純度：99.99% | |
| 102314 | XF232 | 大于100mm2 | 純度：99.99% |
產品名稱
中文名稱：錳磷硒單晶
英文名稱：MnPSe3 Single crystal
性質
晶體種類：磁性半導體
純度：99.99%
應用
電子器件實驗，物理性能研究等。
其他信息
儲存條件：常溫干燥避光保存，開封前保存6個月。
錳磷硫單晶
| 貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數 |
| 102309 | XF231 | 大于10mm2 | 純度：99.99% | |
| 102310 | XF231 | 大于25mm2 | 純度：99.99% | |
| 102311 | XF231 | 大于100mm2 | 純度：99.99% |
產品名稱
中文名稱：錳磷硫單晶
性質
晶體種類：層狀蜂窩狀晶格反鐵磁體
純度：99.99%
應用
電子器件實驗，物理性能研究等。
其他信息
儲存條件：常溫干燥避光保存，開封前保存6個月。
碘化鉻單晶
| 貨號 | CAS號 | 編號 | 包裝 | 參數 |
| 102306 | XF230 | 大于10mm2 | 純度：99.99% | |
| 102307 | XF230 | 大于25mm2 | 純度：99.99% | |
| 102308 | XF230 | 大于100mm2 | 純度：99.99% |
產品名稱
中文名稱：碘化鉻單晶
性質
居里溫度：61 K
純度：99.99%
晶體結構：菱面體（R3,BiI3）
單斜晶（C2/m,AlCl3）
應用
CrI3單晶為鐵磁性材料，具有層依賴的磁性，常用于研究材料中不同尋常的原子級特性進與材料的磁性，如電調控的磁電子學、范德華力引起的界面效應。
其他信息
儲存條件：常溫干燥避光，惰性氣體下保存，開封前保存6個月。
CrI3極易與空氣、水等媒介發生反應，為**程度保持其原有特性，請盡量在使用過程中少接觸空氣與水。建議全程惰性氣體保護下操作或真空環境下操作。
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