高攀 副研
| 專家姓名: | 高攀 | 職務: | ||
| 職稱: | 副研 | 專業類別: | ||
| 研究方向： | ||||
主要從事第三代寬禁帶半導體碳化硅晶體以及高電阻率新型壓電晶體材料研究 |
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| 自我介紹： | ||||
2010年5月于同濟大學物理科學與工程學院博士畢業。目前在中科院上海硅酸鹽研究所人工晶體研究中心主要從事第三代寬禁帶半導體碳化硅晶體以及高電阻率新型壓電晶體材料研究。曾獲2010年度獲“同濟大學優秀博士論文”和上海市“優秀畢業生”。以第一作者發表在Applied Physics Letters, Crystal Engineering Communications, Journal of Alloys and Compounds等期刊發表論文10余篇，申請中國發明專利10項，授權2項。目前承擔國家自然科學基金青年基金，上海市自然科學基金青年基金，中國科學院透明光功能無機材料重點實驗室項目各一項。 |
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| 所在單位: | 中科院上海硅酸鹽研究所 | |||
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