中國粉體網訊  隨著半導體技術的飛速發展，材料創新成為突破性能瓶頸的關鍵。金剛石憑借其卓越的硬度、導熱性及潛在的半導體特性，在半導體產業鏈中的多個環節中已展現出巨大的發展潛力和應用價值。其中，金剛石微粉作為磨拋料，以其超精密加工能力，顯著提升了半導體晶片的表面質量和生產效率，成為半導體制造不可或缺的一環。

從2024半導體行業用金剛石材料技術大會組委會獲悉，本屆會議將于2024年12月24日在鄭州舉辦。北京中科美安科技有限公司作為參展單位邀請您共同出席。

北京中科美安科技有限公司

公司以⼤連化學物理研究所為技術依托，研發系列⾦屬鈀復合膜超純氫⽓純化器，⽤于制取超⾼純氫⽓。

實現6N ~ 9N ~ 12N超⾼純度，滿⾜半導體、多晶硅、⼈造鉆⽯加⼯、航天、軍⼯、⽯油化⼯等領域對超⾼純氫⽓的需求。

20年深度積累核⼼技術

來自中科院⼤連化物所，20年研發積累，獨家超薄⾦屬鈀復合膜技術，⾼質量實現氫提純能⼒。獲得國家發明專利兩項。全國第⼀，全球TOP3。

相⽐PSA，化學吸附技術，鈀膜是實現氫⽓超⾼純化的最佳⽅案。

⾦屬鈀能以溶解-擴散的⽅式選擇性透過氫⽓，簡單來講，只有氫⽓能透過鈀膜，其他⽓體都透不過去，因此分離氫⽓的純度能達到8個9以上。上世紀70年代就已經被⽤于為半導體⾏業提供超純氫。但⽬前國內市場上主要是進⼝的鈀管產品，厚度⾄少在15微⽶以上，價格昂貴，⽽且其透氫量很低，裝置投資和分離能耗很⾼，制氫成本和制氫規模⽆法滿⾜未來規模化應⽤的需求。將⾦屬鈀膜負載在多孔⽀撐體的表⾯，可以制備⾦屬鈀復合膜，厚度可以降低到5微⽶左右，制備廉價的⾦屬鈀復合膜，同傳統鈀管相⽐，其貴⾦屬⽤量降低10倍，并且可以獲得更⼤的透氫量，使裝置投資和純化成本⼤幅度降低，具有明顯的技術經濟優勢。

量產能⼒

突破超薄不銹鋼鈀膜制備瓶頸，達到DOE2015指標國際上率先攻克制備難題并批量⽣產，成品率>90%；

多孔不銹鋼底膜制備突破國外壟斷，成本下降90%；

綜合成本相較國際解決⽅案降低95%。

已交付使⽤

• 北京冬奧會液態陽光加氫站（李燦院⼠項⽬）50kg/天；

• H公司產線60臺應⽤，7N ~ 10N 純度；

• 某⼈造鉆⽯企業，40臺應⽤，7N ~ 10N 純度；

• 四川某多晶硅產線應⽤，7N純度，200Nm³/h流速

產品型號列表

適配于⼩流量場景下的鈀膜氫⽓純化解決⽅案。

同時還具備超⼤流量和12N級氫純化⽅案：

最⾼純度可達12N；

最⾼流量可達800Nm³

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會務組

聯系人：劉文寶

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